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單層氧化石墨烯(H法/進口)

簡要描述:單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法:改良的H法
直徑:1~5um
厚度:0.8~1.2nm
單層比:99%
純度:99%
堆積密度:0.44g/cm3
體積密度:為0.26g/cm3

  • 產品型號:ACSMaterial
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-05-07
  • 訪  問  量:1618

詳細介紹

單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法:改良的H法
直徑:1~5um
厚度:0.8~1.2nm
單層比:99%
純度:99%
堆積密度:0.44g/cm3
體積密度:為0.26g/cm3

單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法:改良的H法
直徑:1~5um
厚度:0.8~1.2nm
單層比:99%
純度:99%
堆積密度:0.44g/cm3
體積密度:為0.26g/cm3

 

 

TEM of Graphene Oxide

 

*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound

 

 

TEM of Graphene Oxide

 

*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound

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