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簡要描述：硒化銦晶體（99.995%） InSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
產(chǎn)品型號： 廠商性質：生產(chǎn)廠家更新時間：2025-05-07訪 問 量：1241詳細介紹
硒化銦晶體（99.995%） InSe
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
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晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
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